كارل بي: ذاكرة الوصول العشوائي في هاتف ون بلس 3 تُقدم تجربة مُستخدم أفضل

دافعت شركة ون بلس عن طريقة إدارة الذاكرة على هاتفها الذكي الأحدث ون بلس 3 OnePlus، حيث قام كارل بي الشريك المؤسس للشركة بالحديث حول الموضوع على حسابه الرسمي على تويتر.

وأكد كارل على أن هاتف ون بلس 3 يملك استراتيجية مُختلفة من حيث إدارته لذاكرة الوصول العشوائي، وتقدم هذه الاستراتيجية العديد من الفوائد لبطارية الجهاز بحيث توفر أفضل تجربة للمُستخدم.

وياتي كلام كارل بعد صدور تقرير حول أداء الهاتف مقارنًة بهواتف اخرى تملك ذاكرة وصول عشوائي أقل، حيث تُعتبر ذاكرة الوصول العشوائي والتي يبلغ حجمها 6 جيجابايت إحدى أكبر وأهم ميزات الهاتف الجديد.

وانتشر مقطع فيديو على اليوتيوب مؤخرًا يقدم اختبارًا لسرعة الهاتف، مما أثار الكثير من التساؤلات حول طريقة إدارة ذاكرة الوصول العشوائي على الهاتف.

وأوضح المقطع المنشور بأن الهاتف لا يبلي بلاء حسنًا في اختبار السرعة مقارنًة بهاتف سامسونج جالاكسي إس 7 إيدج، حيث يُظهر المقطع الهواتف جنبًا إلى جنب لمقارنًة الأداء في ظل سيناريوهات استخدام مُختلفة.

وأوضح كارل كذلك بأنه يُمكن تعديل طريقة إدارة ذاكرة الوصول العشوائي عن طريق نسخ نظام Rom مُعدلة ومُخصصة يقوم بإنتاجها مطوري الطرف الثالث.

وقال بأن الشركة أصدرت ملفات التعليمات البرمجية لنواة هاتف ون بلس 3 للمطورين بعد يوم واحد من إعلانه الرسمي، الأمر الذي من شأنه السماح للمطورين ببناء نسخ نظام Rom خاصة بهم للهاتف الرائد الجديد.

وأكمل الشريك المؤسس لشركة ون بلس بأن وجود مثل هذا الحجم لذاكرة الوصول العشوائي على هواتف أندرويد يعتبر جديد وأنه ما يزال هناك الكثير ليتم استكشافه، وأن فريق ون بلس يعمل على المزيد من التحسينات.

تجدر الإشارة إلى قيام الشركة الاسبوع الماضي بإطلاق هاتفها الرائد، والذي يأتي بشاشة من قياس 5.5 إنش ومعالج Snapdragon 820 من شركة كوالكوم و6 جيجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي و64 جيجابايت من مساحة التخزين الداخلية.